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| Quantité | Prix | Tarif promotionnel |
|---|---|---|
| 1+ | 0,498 $ | 0,101 $ |
| 10+ | 0,344 $ | 0,101 $ |
| 100+ | 0,246 $ | 0,101 $ |
| 500+ | 0,202 $ | 0,101 $ |
| 1000+ | 0,189 $ | 0,101 $ |
| 4000+ | 0,170 $ | 0,101 $ |
| 10000+ | 0,155 $ | 0,101 $ |
| 26000+ | 0,144 $ | 0,101 $ |
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Aperçu du produit
The FOD817B is a 4-pin DIP Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicone phototransistor. It features high input-output isolation voltage of 5000Vrms and applicable to Pb-free IR reflow process.
- High operating temperature
- 130 to 260% Current transfer ratio
Applications
Power Management, Communications & Networking
Spécifications techniques
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
4Pins
Isolation Voltage
5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
70V
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Optocoupler Case Style
DIP
Forward Current If Max
50mA
CTR Min
130%
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit