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754 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 5,860 $ |
10+ | 5,510 $ |
25+ | 5,230 $ |
50+ | 5,050 $ |
100+ | 4,910 $ |
250+ | 4,870 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQA8N100C
Code Commande31Y1509
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd225W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation225W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FQA8N100C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (53nC)
- Low Crss (16pF)
- 100% avalanche tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
225W
Power Dissipation
225W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits