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FQB47P06TM-AM002
MOSFET, P-CH, -60V, 47A, 175DEG C, 160W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB47P06TM-AM002
Code Commande
Bobine complète48AC1170
Mise en bobine61M6403
Bandes découpées61M6403
Votre numéro de pièce
1 921 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,450 $ | 7,45 $ |
| Total Prix | 7,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,450 $ |
| 10+ | 5,270 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,880 $ |
| 3000+ | 3,760 $ |
| 6000+ | 3,580 $ |
| 12000+ | 3,380 $ |
| 18000+ | 3,300 $ |
| 30000+ | 3,260 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB47P06TM-AM002
Code Commande
Bobine complète48AC1170
Mise en bobine61M6403
Bandes découpées61M6403
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id47A
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage-10V
Power Dissipation Pd160W
Gate Source Threshold Voltage Max-4V
Power Dissipation160W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FQB47P06TM_AM002 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 84nC typical low gate charge
- 320pF typical low Crss
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
-10V
Gate Source Threshold Voltage Max
-4V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
160W
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQB47P06TM-AM002
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits