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FQB55N10TM
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 mA, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 1,960 $ |
| 1600+ | 1,950 $ |
| 3200+ | 1,940 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 800
Multiple: 800
1 568,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB55N10TM
Code Commande34C0409
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id55mA
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.75W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
3.75W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55mA
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.75W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit