Imprimer la page
FQD13N10LTM
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-252AA, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
8 432 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,340 $ |
| 10+ | 0,997 $ |
| 25+ | 0,904 $ |
| 50+ | 0,812 $ |
| 100+ | 0,719 $ |
| 250+ | 0,665 $ |
| 500+ | 0,609 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,70 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD13N10LTM
Code Commande31Y1523
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.142ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd40W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FQD13N10LTM is a QFET® enhancement-mode N-channel Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- Low level gate drive requirements allowing direct operation form logic drivers
- 100% avalanche tested
- 8.7nC typical low gate charge
- 20pF typical low Crss
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
40W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.142ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FQD13N10LTM
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits