Imprimer la page
FQD18N20V2
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Options de conditionnement
9 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,120 $ |
| 10+ | 1,810 $ |
| 25+ | 1,630 $ |
| 50+ | 1,490 $ |
| 100+ | 1,250 $ |
| 250+ | 1,100 $ |
| 500+ | 0,955 $ |
| 1000+ | 0,916 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,12 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD18N20V2
Code Commande97K0155
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FQD18N20V2 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 20nC Typical low gate charge
- 25pF typical low Crss
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQD18N20V2
1 produit trouvé
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits