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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD3P50TM
Code Commande84Y9966
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.1A
On Resistance Rds(on)3.9ohm
Drain Source On State Resistance3.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage-10V
Gate Source Threshold Voltage Max-5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeQFET
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
3.9ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
-5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Drain Source On State Resistance
3.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
-10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQD3P50TM
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit