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FQD7P20TM
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 5.7 mA, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,865 $ |
| 10+ | 0,864 $ |
| 25+ | 0,864 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD7P20TM
Code Commande15R4038
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.7mA
On Resistance Rds(on)0.69ohm
Drain Source On State Resistance0.69ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.69ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.7mA
Drain Source On State Resistance
0.69ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
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