Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
82 748 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,100 $ |
| 10+ | 1,100 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 500+ | 1,100 $ |
| 1000+ | 1,100 $ |
| 3000+ | 1,100 $ |
| 5000+ | 1,100 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,10 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQP27P06
Code Commande58K1524
Gamme de produitQFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd120W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeQFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FQP27P06 is a through hole, -60V P channel QFET MOSFET in TO-220 package. This device feature planar stripe and DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supply, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low reverse transfer capacitance of typically 120pF
- Low gate charge is typically 33nC
- Drain to source voltage (Vds) of -60V
- Gate to source voltage of ±25V
- Continuous drain current (Id) of -27A
- Power dissipation (Pd) of 120W
- Low on state resistance of 55mohm at Vgs -10V
- Operating temperature range -55°C to 175°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
QFET Series
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
27A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
120W
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQP27P06
1 produit trouvé
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit