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HN1B01FDW1T1G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHN1B01FDW1T1G
Code Commande88H4650
Fiche technique
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN380mW
Power Dissipation PNP380mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSC-74
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
380mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
380mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SC-74
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit