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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 5,090 $ |
10+ | 4,090 $ |
25+ | 3,850 $ |
50+ | 3,620 $ |
100+ | 3,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,09 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75545S3ST
Code Commande31Y2013
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id75A
On Resistance Rds(on)0.0082ohm
Drain Source On State Resistance0.0082ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd270W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation270W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0082ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.0082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
270W
Power Dissipation
270W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour HUF75545S3ST
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits