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HUF75639G3
MOSFET Transistor, N Channel, 56 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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258 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,950 $ |
| 10+ | 6,680 $ |
| 25+ | 5,650 $ |
| 50+ | 4,600 $ |
| 100+ | 4,310 $ |
| 250+ | 4,020 $ |
| 900+ | 4,010 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,95 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75639G3
Code Commande47T5084
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd200W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
200W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits