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HUF75639S3ST
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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232 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,300 $ |
| 10+ | 3,970 $ |
| 25+ | 3,650 $ |
| 50+ | 3,340 $ |
| 100+ | 3,020 $ |
| 250+ | 2,830 $ |
| 500+ | 2,620 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,30 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75639S3ST
Code Commande54AH8828
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id56A
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour HUF75639S3ST
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits