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HUF75652G3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 60+ | 11,180 $ |
| 120+ | 11,070 $ |
| 270+ | 10,970 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 60
Multiple: 30
670,80 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHUF75652G3
Code Commande58K1615
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id75A
On Resistance Rds(on)0.0067ohm
Drain Source On State Resistance0.0067ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd515W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation515W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The HUF75652G3 is an UltraFET N-channel Power MOSFET with ultra-low ON-resistance.
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS rating curve
- Simulation models - Temperature compensated PSPICE® & SABER™, thermal impedance SPICE & SABER
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0067ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.0067ohm
Power Dissipation Pd
515W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
515W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit