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FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ109-D26Z
Code Commande
Mise en bobine54AH9119
Bandes découpées54AH9119
Votre numéro de pièce
Fiche technique
7 803 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,080 $ |
| 10+ | 0,738 $ |
| 25+ | 0,662 $ |
| 50+ | 0,587 $ |
| 100+ | 0,511 $ |
| 250+ | 0,462 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ109-D26Z
Code Commande
Mise en bobine54AH9119
Bandes découpées54AH9119
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr25V
Gate Source Breakdown Voltage Max25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min40mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Gate Source Cutoff Voltage Max6V
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
40mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
6V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
Gate Source Breakdown Voltage Max
25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Transistor Case Style
TO-92
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour J109-D26Z
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits