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J112
JFET Transistor, Junction Field Effect, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pin, 150 °C
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ112
Code Commande58K8918
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr-35V
Gate Source Breakdown Voltage Max-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Gate Source Cutoff Voltage Max-5V
Transistor Case StyleTO-92
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
J112 is a through hole, N channel switch in TO-92 package. This device is designed for low level analogue switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
- Source and drain are interchangeable
- Gate to source breakdown voltage of 35V
- Gate to source cut-off voltage of 5V
- Zero gate voltage drain current of 5mA
- Power dissipation (pd) of 350mW
- Operating junction temperature of -55°C to 150°C
- Drain source on resistance of 50 ohm
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-5V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Gate Source Breakdown Voltage Max
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Transistor Case Style
TO-92
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits