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MBT6429DW1T1G
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 200 mA, 150 mW
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMBT6429DW1T1G
Code Commande45J0811
Fiche technique
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN150mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN500hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN700MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
150mW
DC Current Gain hFE Min NPN
500hFE
Transistor Case Style
SC-88
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
700MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit