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MC1413DR2G.
Bipolar Transistor Array, NPN, 1.1 V, 500 mA
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,295 $ |
| 7500+ | 0,290 $ |
| 12500+ | 0,269 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
737,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMC1413DR2G.Copie
Code Commande15AC3475
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max NPN1.1V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN500mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP-
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min NPN1000hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
No. of Pins16Pins
Operating Temperature Max85°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min PNP
-
Operating Temperature Max
85°C
Transition Frequency PNP
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
1.1V
Continuous Collector Current NPN
500mA
Power Dissipation NPN
-
Transistor Case Style
SOIC
DC Current Gain hFE Min NPN
1000hFE
No. of Pins
16Pins
Transition Frequency NPN
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Produits de remplacement pour MC1413DR2G.
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit