Imprimer la page
MJ11015G
Darlington Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pins
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
137 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,430 $ |
| 10+ | 7,180 $ |
| 25+ | 7,160 $ |
| 50+ | 7,150 $ |
| 100+ | 6,430 $ |
| 300+ | 6,010 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,43 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ11015G
Code Commande26K4504
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max120V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation Pd200W
Transition Frequency-
Power Dissipation200W
DC Collector Current30A
RF Transistor CaseTO-3
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
- Collector to emitter voltage (Vce) of -120V
- Collector current (Ic) of -30A
- Power dissipation of 200W
- Operating junction temperature range from -55°C to 200°C
- Collector emitter breakdown Voltage of -120V
- Collector emitter saturation voltage of -3V at 20A collector current
Applications
Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
RF Transistor Case
TO-3
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
SVHC
Lead
Collector Emitter Voltage Max
120V
Continuous Collector Current
30A
Transition Frequency
-
DC Collector Current
30A
No. of Pins
2Pins
Transistor Case Style
TO-3
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits