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MJ21193G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, PNP, 250 V, 16 A, 250 W, TO-3, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,050 $ |
| 10+ | 7,620 $ |
| 25+ | 7,150 $ |
| 50+ | 6,660 $ |
| 100+ | 6,190 $ |
| 300+ | 5,650 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ21193G
Code Commande26K4522
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
DC Collector Current16A
DC Current Gain hFE75hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleTO-3
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min75hFE
Operating Temperature Max200°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJ21193G is a -250V Silicon PNP Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
- Total harmonic distortion characterized
- High DC current gain
- Excellent gain linearity
- High SOA
Applications
Audio, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
250W
DC Collector Current
16A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-3
DC Current Gain hFE Min
75hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Continuous Collector Current
16A
Power Dissipation Pd
250W
DC Current Gain hFE
75hFE
No. of Pins
2Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits