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MJ4502G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,490 $ |
| 10+ | 10,920 $ |
| 25+ | 10,530 $ |
| 50+ | 10,120 $ |
| 100+ | 9,730 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJ4502G
Code Commande59AC7151
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current30A
Power Dissipation Pd200W
Power Dissipation200W
DC Collector Current30A
Transistor Case StyleTO-204AA
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The MJ4502G is a PNP Silicon High-Power Transistor for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100W music power per channel. This transistor is complement to the NPN MJ802 transistor.
- High DC current gain
- Excellent safe operating area
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
200W
DC Collector Current
30A
DC Current Gain hFE
100hFE
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
30A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-204AA
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit