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MJB41CT4G.
Bipolar Transistor Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,110 $ |
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Multiple: 800
1 776,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJB41CT4G.
Code Commande27AC8944
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max NPN100V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN6A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN65W
Power Dissipation PNP-
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min NPN15hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN3MHz
Transition Frequency PNP-
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min PNP
-
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Collector Emitter Voltage Max NPN
100V
Continuous Collector Current NPN
6A
Power Dissipation NPN
65W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
DC Current Gain hFE Min NPN
15hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency NPN
3MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificat de conformité du produit