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MJD112G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000 RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
8 916 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,440 $ |
| 10+ | 1,310 $ |
| 150+ | 0,488 $ |
| 525+ | 0,487 $ |
| 1050+ | 0,383 $ |
| 2550+ | 0,363 $ |
| 10050+ | 0,342 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,44 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD112G
Code Commande58M9087
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
Transition Frequency25MHz
Continuous Collector Current2A
DC Collector Current2A
Power Dissipation1.75W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min12000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
25MHz
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation
1.75W
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min
12000hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits