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MJD32T4G
Bipolar Transistor Array, PNP, 40 V, 40 V, -3 A, -3 A, 15 W
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD32T4G
Code Commande71J5850
Gamme de produitMJD32 Series
Fiche technique
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD32T4G
Code Commande71J5850
Gamme de produitMJD32 Series
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN-3A
Continuous Collector Current PNP-3A
Power Dissipation NPN15W
Power Dissipation PNP15W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min NPN10hFE
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min PNP10hFE
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN3MHz
Transition Frequency PNP3MHz
Product RangeMJD32 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
-3A
Power Dissipation PNP
15W
DC Current Gain hFE Min NPN
10hFE
DC Current Gain hFE Min PNP
10hFE
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
3MHz
Qualification
-
SVHC
Lead
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
-3A
Power Dissipation NPN
15W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
4Pins
Transition Frequency NPN
3MHz
Product Range
MJD32 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MJD32T4G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit