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MJD42CT4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,811 $ |
| 10+ | 0,808 $ |
| 25+ | 0,748 $ |
| 50+ | 0,690 $ |
| 100+ | 0,630 $ |
| 250+ | 0,586 $ |
| 500+ | 0,541 $ |
| 1000+ | 0,488 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD42CT4G
Code Commande47Y8095
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current6A
DC Collector Current6A
Power Dissipation Pd20W
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE30hFE
DC Current Gain hFE Min15hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
DC Collector Current
6A
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
3MHz
DC Current Gain hFE Min
15hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
6A
Power Dissipation Pd
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
30hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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