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10+ | 1,250 $ |
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2550+ | 0,563 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD45H11G
Code Commande38K5600
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation Pd20W
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
DC Collector Current8A
DC Current Gain hFE60hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency90MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation Pd
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
60hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
20W
DC Collector Current
8A
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
90MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits