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MJD47T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,469 $ |
| 5000+ | 0,459 $ |
| 10000+ | 0,434 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 172,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD47T4G
Code Commande26K4446
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation1.56W
Power Dissipation Pd1.56W
DC Collector Current1A
DC Current Gain hFE10hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transition Frequency10MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
1.56W
DC Collector Current
1A
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Continuous Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
1.56W
DC Current Gain hFE
10hFE
No. of Pins
4Pins
Transition Frequency
10MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit