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MJE340G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Through Hole
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE340G
Code Commande98H0739
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max300V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo300V
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation Pd20W
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-225AA
DC Collector Current500mA
DC Current Gain hFE240hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min240hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJE340G is a 300V Silicon NPN Complementary Plastic Medium Power Transistor useful for high voltage general purpose applications. This transistor has thermo pad construction that provides high power dissipation rating for high reliability.
- Suitable for transformerless, line operated equipment
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
300V
Power Dissipation Pd
20W
Transistor Case Style
TO-225AA
DC Current Gain hFE
240hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
240hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
300V
Continuous Collector Current
500mA
Power Dissipation
20W
DC Collector Current
500mA
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits