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Quantité | Prix |
---|---|
10+ | 3,670 $ |
100+ | 1,840 $ |
500+ | 1,660 $ |
1000+ | 1,570 $ |
2500+ | 1,560 $ |
5000+ | 1,560 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJE5742G.
Code Commande26AC2133
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo400V
Transition Frequency-
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation100W
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-220
DC Current Gain hFE Min400hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The MJE5742G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for high voltage power switching in inductive circuits.
- Complementary to MJE5740
Applications
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
400V
Continuous Collector Current
8A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
100W
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
400hFE
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit