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MMBD301LT1G
RF Schottky Diode, Barrier, Single, 30 V, 200 mA, 450 mV, 0.9 pF, SOT-23
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,044 $ |
| 50+ | 0,044 $ |
| 100+ | 0,038 $ |
| 250+ | 0,037 $ |
| 500+ | 0,037 $ |
| 1000+ | 0,037 $ |
| 2500+ | 0,037 $ |
| 5000+ | 0,037 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBD301LT1G
Code Commande88H4772
Fiche technique
Diode ConfigurationSingle
Reverse Voltage30V
Forward Current200mA
Forward Voltage450mV
Forward Voltage VF Max450mV
Diode Capacitance0.9pF
Diode Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max125°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
- 15ps Extremely low minority carrier lifetime
- 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
- 13nA DC Low reverse leakage IR
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Applications
RF Communications, Sensing & Instrumentation, Industrial
Spécifications techniques
Diode Configuration
Single
Forward Current
200mA
Forward Voltage VF Max
450mV
Diode Case Style
SOT-23
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Reverse Voltage
30V
Forward Voltage
450mV
Diode Capacitance
0.9pF
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
125°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBD301LT1G
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits