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MMBF170LT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBF170LT1G
Code Commande88H4781
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Produits de remplacement pour MMBF170LT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The MMBF170LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 60VDC and drain current at 500mA.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
Applications
Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
225mW
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits