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MMBF4393LT1G.
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBF4393LT1G.
Code Commande26AC2211
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Breakdown Voltage Vbr30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-3V
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3 Pin
QualificationAEC-Q101
Product Range-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.
- 30VDC Drain-source voltage
- 30VDC Drain-gate voltage
- 30VDC Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-3V
Transistor Type
JFET
No. of Pins
3 Pin
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit