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MMBFJ112
JFET Transistor, Junction Field Effect, -35 V, -5 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 2 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,184 $ |
| 6000+ | 0,166 $ |
| 12000+ | 0,151 $ |
| 18000+ | 0,142 $ |
| 30000+ | 0,132 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
552,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ112
Code Commande67R2104
Fiche technique
Gate Source Breakdown Voltage Max-35V
Breakdown Voltage Vbr-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The MMBFJ112 is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- Interchangeable source and drain
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Spécifications techniques
Gate Source Breakdown Voltage Max
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Gate Source Cutoff Voltage Max
-5V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Breakdown Voltage Vbr
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
5mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour MMBFJ112
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit