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MMBFJ113
JFET Transistor, -35 V, -3 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ113
Code Commande
Bobine complète86AK5568
Mise en bobine31Y2733
Bandes découpées31Y2733
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,490 $ |
| 10+ | 0,287 $ |
| 25+ | 0,242 $ |
| 50+ | 0,199 $ |
| 100+ | 0,156 $ |
| 250+ | 0,148 $ |
| 500+ | 0,139 $ |
| 1000+ | 0,131 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,157 $ |
| 6000+ | 0,138 $ |
| 12000+ | 0,124 $ |
| 18000+ | 0,113 $ |
| 30000+ | 0,103 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ113
Code Commande
Bobine complète86AK5568
Mise en bobine31Y2733
Bandes découpées31Y2733
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr-35V
Gate Source Breakdown Voltage Max-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max-
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min2mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-3V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-
Gate Source Cutoff Voltage Max
-3V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Source Breakdown Voltage Max
-35V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
2mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBFJ113
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit