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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3904LT1G
Code Commande83H7337
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
107 750 En Stock
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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,020 $ |
25+ | 0,020 $ |
50+ | 0,020 $ |
100+ | 0,020 $ |
250+ | 0,020 $ |
500+ | 0,020 $ |
1000+ | 0,020 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3904LT1G
Code Commande83H7337
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation300mW
Power Dissipation Pd300mW
DC Collector Current200mA
DC Current Gain hFE300hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
QualificationAEC-Q101
Product RangeMMBTxxxx Series
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
MMBT3904LT1G is a NPN silicon, surface mount, general purpose transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Collector cutoff current is 50nAdc max (VCE = 30VDC, VEB = 3.0Vdc)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100µADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
300mW
DC Collector Current
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Qualification
AEC-Q101
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
300mW
DC Current Gain hFE
300hFE
Transistor Case Style
SOT-23
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBT3904LT1G
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit