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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3906LT1G
Code Commande58M9148
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
1 715 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,139 $ |
10+ | 0,098 $ |
25+ | 0,084 $ |
50+ | 0,070 $ |
100+ | 0,056 $ |
250+ | 0,049 $ |
500+ | 0,042 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,14 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3906LT1G
Code Commande58M9148
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
MMBT3906LT1G is a PNP silicon general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is -40VDC
- Collector-base voltage is -40VDC
- Collector current - continuous is -200mA DC
- Total device dissipation is a 225mW
- Junction and storage temperature is -65 to +150°C
- 60 minimum DC current gain (IC = -0.1mAdc, VCE = -1.0Vdc)
- 250MHz typical current-gain bandwidth product (IC = -10mAdc, VCE = -20Vdc, f = 100MHz)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
MMBTxxxx Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit