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MMBT3906TT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-416, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT3906TT1G
Code Commande45P5149
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
DC Collector Current200mA
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation200mW
Power Dissipation Pd200mW
Transistor Case StyleSOT-416
DC Current Gain hFE300hFE
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency250MHz
DC Current Gain hFE Min300hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Produits de remplacement pour MMBT3906TT1G
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
200mW
DC Current Gain hFE
300hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
300hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
40V
DC Collector Current
200mA
Power Dissipation
200mW
Transistor Case Style
SOT-416
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
250MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit