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MMBT6428LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT6428LT1G
Code Commande45J1535
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
1 408 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,278 $ |
| 25+ | 0,152 $ |
| 50+ | 0,134 $ |
| 100+ | 0,116 $ |
| 250+ | 0,105 $ |
| 500+ | 0,094 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBT6428LT1G
Code Commande45J1535
Gamme de produitMMBTxxxx Series
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max50V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Continuous Collector Current200mA
Power Dissipation225mW
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current200mA
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE250hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency700MHz
DC Current Gain hFE Min250hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMMBTxxxx Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Power Dissipation
225mW
DC Collector Current
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
250hFE
Product Range
MMBTxxxx Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
50V
Continuous Collector Current
200mA
Power Dissipation Pd
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE
250hFE
Transition Frequency
700MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits