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MMBTA64LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
9 530 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,251 $ |
| 10+ | 0,160 $ |
| 25+ | 0,141 $ |
| 50+ | 0,123 $ |
| 100+ | 0,103 $ |
| 250+ | 0,092 $ |
| 500+ | 0,080 $ |
| 1000+ | 0,071 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
1,26 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTA64LT1G
Code Commande75Y6386
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Transition Frequency125MHz
Continuous Collector Current500mA
Power Dissipation Pd225mW
DC Collector Current500mA
Power Dissipation225mW
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
DC Current Gain hFE20000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min10000hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
Continuous Collector Current
500mA
DC Collector Current
500mA
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
10000hFE
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Transition Frequency
125MHz
Power Dissipation Pd
225mW
Power Dissipation
225mW
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
20000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits