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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMDF1N05ER2G
Code Commande
Mise en bobine83K8580
Bandes découpées83K8580
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMDF1N05ER2G
Code Commande
Mise en bobine83K8580
Bandes découpées83K8580
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel2A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.3ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
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Certificat de conformité du produit