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MMUN2131LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12000+ | 0,026 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 15000
Multiple: 3000
390,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMUN2131LT1G
Code Commande45J1618
Fiche technique
Transistor PolaritySingle PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R12.2kohm
Base Emitter Resistor R22.2kohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min8hFE
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
2.2kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
2.2kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMUN2131LT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit