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MUN5111DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,348 $ |
| 10+ | 0,203 $ |
| 25+ | 0,184 $ |
| 50+ | 0,163 $ |
| 100+ | 0,144 $ |
| 250+ | 0,127 $ |
| 500+ | 0,109 $ |
| 1000+ | 0,098 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMUN5111DW1T1G
Code Commande82Y7021
Fiche technique
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit