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NCV8415STT1G
MOSFET, N-CH, 42V, 11A, SOT-223-4
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNCV8415STT1GCopie
Code Commande
Bobine complète81AJ0152
Mise en bobine81AK4238
Bandes découpées81AK4238
Votre numéro de pièce
6 000 En Stock
Bandes découpées sont disponibles en commandes différées.
6 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,340 $ | 1,34 $ |
| Total Prix | 1,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,340 $ |
| 10+ | 0,863 $ |
| 25+ | 0,812 $ |
| 50+ | 0,760 $ |
| 100+ | 0,709 $ |
| 250+ | 0,694 $ |
| 500+ | 0,680 $ |
| 1000+ | 0,679 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,713 $ |
| 2500+ | 0,576 $ |
| 10000+ | 0,558 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNCV8415STT1GCopie
Code Commande
Bobine complète81AJ0152
Mise en bobine81AK4238
Bandes découpées81AK4238
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds42V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
42V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NCV8415STT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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