Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,058 $ |
10+ | 0,058 $ |
25+ | 0,058 $ |
50+ | 0,058 $ |
100+ | 0,058 $ |
250+ | 0,058 $ |
500+ | 0,058 $ |
1000+ | 0,058 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,06 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDC7002N
Code Commande79K5296
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id510mA
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel510mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour NDC7002N
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The NDC7002N is a dual N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
510mA
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
510mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit