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NDSH20120C-F155
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDSH20120C-F155Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande04AM1314
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
370 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,530 $ |
| 10+ | 12,170 $ |
| 25+ | 11,240 $ |
| 50+ | 10,300 $ |
| 100+ | 9,770 $ |
| 250+ | 9,250 $ |
| 500+ | 8,720 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
16,53 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDSH20120C-F155Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande04AM1314
Gamme de produitEliteSiC Series
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge100nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
100nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit