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NDSH20120C-F155
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,790 $ |
| 10+ | 12,190 $ |
| 25+ | 11,890 $ |
| 50+ | 11,570 $ |
| 100+ | 11,170 $ |
| 250+ | 10,750 $ |
| 900+ | 9,500 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDSH20120C-F155
Code Commande04AM1314
Gamme de produitEliteSiC Series
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge100nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
100nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits