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NDSH20120C
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDSH20120C
Code Commande81AJ0162
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
470 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,170 $ |
| 10+ | 8,070 $ |
| 25+ | 7,950 $ |
| 50+ | 7,940 $ |
| 100+ | 7,610 $ |
| 250+ | 7,260 $ |
| 900+ | 6,930 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,17 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDSH20120C
Code Commande81AJ0162
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current20A
Total Capacitive Charge100nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
SVHCLead
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
100nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
20A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit