Imprimer la page
NDT3055L
MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 60 V,
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT3055LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète26AC2664
Mise en bobine26M1853
Bandes découpées26M1853
Votre numéro de pièce
50 411 En Stock
50 411 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,080 $ | 10,40 $ |
| Total Prix | 10,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,080 $ |
| 10+ | 1,740 $ |
| 25+ | 1,560 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,240 $ |
| 250+ | 1,110 $ |
| 500+ | 0,921 $ |
| 1000+ | 0,891 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,538 $ |
| 8000+ | 0,527 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT3055LCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète26AC2664
Mise en bobine26M1853
Bandes découpées26M1853
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NDT3055L
4 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit