Imprimer la page
NDT451AN
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 7.2 A, 35 mohm, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,770 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 4000
Multiple: 4000
3 080,00 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNDT451AN
Code Commande58K2022
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.2A
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance35mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Transistor Case StyleSOT-223
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The NDT451AN is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC conversion where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Drain Source On State Resistance
35mohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour NDT451AN
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit