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NGD8201NT4G
IGBT, 20 A, 125 W, 440 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNGD8201NT4G
Code Commande42K2239
Fiche technique
DC Collector Current20A
Continuous Collector Current20A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.6V
Collector Emitter Saturation Voltage-
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
Collector Emitter Voltage Max440V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo440V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Spécifications techniques
DC Collector Current
20A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.6V
Power Dissipation Pd
125W
Collector Emitter Voltage Max
440V
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Continuous Collector Current
20A
Collector Emitter Saturation Voltage
-
Power Dissipation
125W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
440V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit